Ինդուկտիվության կծիկի ֆունկցիայի և դիմադրության վերլուծություն| ԱՌՈՂՋԱՑԻՐ

Ի՞նչ դեր է խաղում ինդուկտորի կծիկը շղթայում: Արդյո՞ք կարկատանի ինդուկտորի բնութագրերն ու բնութագրերը նույնն են: Այսօր եկեք պարզենք դրա մասին:

Սնամեջ ինդուկտիվ կծիկի գործառույթը

Երկաթե միջուկի ինդուկտորային կծիկի աշխատանքի սկզբունքը.

Որ ինդուկտիվությունը կծիկ մետաղալարի մեջ մագնիսական հոսքի հարաբերակցությունն է հոսանքի, որն արտադրում է փոփոխական հոսք մետաղալարի ներսում և շուրջը, երբ AC հոսանքն անցնում է մետաղալարով:

Երբ հաստատուն հոսանքն անցնում է ինդուկտորով, նրա շուրջը միայն ֆիքսված մագնիսական ուժի գիծ է, որը ժամանակի հետ չի փոխվում: Բայց երբ փոփոխական հոսանքն անցնում է կծիկի միջով, այն շրջապատված է ուժի մագնիսական գծերով, որոնք ժամանակի ընթացքում փոխվում են: Համաձայն էլեկտրամագնիսական ինդուկցիայի օրենքի վերլուծության, ուժի փոփոխվող մագնիսական գիծը կծիկի երկու ծայրերում կառաջացնի ինդուկտիվ ներուժ, որը համարժեք է «նոր սնուցման»: Երբ ձևավորվում է փակ հանգույց, ինդուկացված ներուժը առաջացնում է ինդուկտիվ հոսանք:

Լենցի օրենքը գիտի, որ ինդուկացված հոսանքի արդյունքում արտադրված մագնիսական ուժի գծերի ընդհանուր քանակությունը պետք է հնարավորինս կանխվի սկզբնական մագնիսական ուժի գծերի փոփոխումից: Քանի որ մագնիսական ուժի գծի սկզբնական փոփոխությունը գալիս է արտաքին AC էլեկտրամատակարարման փոփոխությունից, օբյեկտիվորեն ասած, ինդուկտորային կծիկը ունի AC շղթայում հոսանքի փոփոխությունը կանխելու հատկանիշ: Ինդուկտիվության կծիկը նման է մեխանիկայի իներցիային, որը էլեկտրականության մեջ կոչվում է «ինքնաինդուկտիվություն»: Սովորաբար, կայծերը տեղի են ունենում այն ​​պահին, երբ դանակի անջատիչը միացված կամ միացված է: Դա պայմանավորված է բարձր ինդուկցիոն պոտենցիալով, որն արտադրվում է ինքնաինդուկցիայի ֆենոմենի կողմից:

Կարկատանների դիմադրության վուլկանացման մեխանիզմը

Մակերեւութային էլեկտրոդը արծաթե էլեկտրոդ է, միջանկյալ էլեկտրոդը՝ նիկելային ծածկույթ, արտաքին էլեկտրոդը՝ թիթեղյա ծածկույթ, մակերևութային էլեկտրոդի նյութը՝ մետաղական հաղորդիչ, երկրորդային պաշտպանիչ ծածկը՝ ոչ մետաղական ոչ հաղորդիչ, իսկ էլեկտրական ծածկույթը՝ սահմանային տարածքում։ շատ բարակ կամ չի կազմում հաղորդիչ շերտ: մասնավորապես, էկրանի տպագրության երկրորդ պաշտպանիչ շերտի սահմանը անկանոն է, իսկ ենթաշերտը / դա երկրորդական պաշտպանության և էլեկտրոդի ծածկույթի միջև եղած թուլությունն է: Ծծմբի կոռոզիայից գազը թափանցում է էլեկտրոդի մակերեսը երկրորդական պաշտպանիչ էլեկտրոդի և սահմանի միջև գտնվող շերտի միջով և միավորվում է էլեկտրոդի մակերեսի արծաթի սուլֆիդի հետ՝ առաջացնելով Ag2S միացություն: Ցածր հաղորդունակությունը ստիպում է ռեզիստորին կորցնել իր հաղորդունակությունը և ձախողվել:

Դիմադրողական վուլկանացումից խուսափելու համար լավագույն միջոցը հակավուլկանացման դիմադրության օգտագործումն է: Ընդլայնելով երկրորդային պաշտպանիչ ծածկույթի դիզայնի չափը և ներքևի էլեկտրոդը երկրորդական պաշտպանությամբ ծածկելով մինչև որոշակի չափի, Ni շերտը և Sn շերտը հեշտ է ծածկել երկրորդային պաշտպանիչ շերտը էլեկտրապատման ժամանակ: Սա խուսափում է համեմատաբար թույլ երկրորդային պաշտպանիչ ծածկույթի եզրի անմիջական ազդեցությունից օդային միջավայրին և բարելավում է արտադրանքի վուլկանացման դիմադրությունը:

Դիզայնի գաղափարը փաթեթավորման և ծածկույթի տեսանկյունից է։ Հակավուլկանացման դիզայնը օգտագործում է ածխածնի վրա հիմնված հաղորդիչ խեժի սոսինձ՝ մակերեսային էլեկտրոդը ծածկելու համար և տարածվում է մինչև երկրորդական պաշտպանիչ շերտը: Մեկ այլ հակավուլկանացման ձևավորում այն ​​նյութերի տեսանկյունից է, ինչպիսիք են մակերևութային էլեկտրոդի Ag/Pd ցեխի մեջ պալադիումի պարունակության բարձրացումը և պալադիումի (զանգվածային մասի) պարունակությունը 0,5%-ից մինչև 10%: Կաղապարում պալադիումի պարունակության ավելացման շնորհիվ պալադիումի կայունությունը բարելավում է վուլկանացման նկատմամբ դիմադրողականությունը։ Փորձերը ցույց են տալիս, որ այս մեթոդը արդյունավետ է։

Ընդհանրապես, հակավուլկանիզացիոն դիզայնի երկու գաղափար կա, մեկը՝ ինկապսուլյացիայի, մյուսը՝ նյութերի տեսակետից։ Համեմատաբար, նյութական առումով ավելի լավ է ապահովել, որ դիմադրությունը վուլկանացված չէ: PCB տախտակի հավաքածուն պատված է երեք հակալաքերով, և պաշտպանիչ թաղանթ է ավելացվել՝ օդը մեկուսացնելու և դիմադրողական վուլկանացումը կանխելու համար: Մեծածախ կարկատել ռեզիստոր:

Համեմատած սովորական արտադրանքների հետ, հակավուլկանացման դիմադրությունը տպվում է ջերմահաղորդիչ պոլիուրեթանային լցնող սոսինձի շերտով, որը պաշտպանիչ դեր է խաղում:

Ամբողջովին փակ սոսինձ լցնող մոդուլի էլեկտրամատակարարումը ընդունում է ամբողջական վեցակողմ փաթեթի կառուցվածք: Այս մեթոդը պետք է փորձարկվի պրակտիկայում, քանի որ մոդուլի հզորությունը իր ելքային կապումներով, այսինքն՝ կապումներով, իրականում ամբողջությամբ անջատված չէ: Մեկ այլ լուծում է իրական հերմետիկ դիզայնի օգտագործումը, որտեղ մոդուլի էներգիայի մատակարարումը լցված է ազոտով կամ արգոնով և հիմնականում օգտագործվում է ռազմական կամ օդատիեզերական արտադրանքներում: Քանի որ սիլիկա գելը կարող է կլանել սուլֆիդները, մեկ այլ մեթոդ է հրաժարվել սիլիկա գելի լցոնումից և ընդունել բաց կառուցվածք: Բաց կառուցվածքը պետք է համապարփակ դիտարկել՝ էներգիայի փոխակերպման արդյունավետության բարելավման, ջերմության միասնական բաշխման և ջերմության հարկադիր ցրման տեսանկյունից: Ներկայումս, չնայած բաց կառուցվածքի մոդուլի սնուցումը վուլկանացված է, էլեկտրամատակարարման վուլկանացման վտանգը զգալիորեն նվազել է լցված սիլիկա գել օգտագործող մոդուլների համեմատ: Կերամիկական հիմքի ուժային մոդուլը նմուշառում է կերամիկական հիմքը և տպում դիմադրությունը անմիջապես կերամիկական հիմքի վրա: Կերամիկական հիմքը լավ ջերմային հաղորդակցություն ունի: Այնուամենայնիվ, կերամիկական հիմքը պետք է պատված լինի երեք հականերկերով, որպեսզի արծաթը չշարժվի բարձր ջերմաստիճանի, բարձր խոնավության և էլեկտրական դաշտի ուժի ազդեցության տակ, որպեսզի խուսափի գծերի միջև կարճ միացումից: IC փաթեթի էլեկտրամատակարարումը ընդունում է IC փաթեթի էլեկտրամատակարարումը: Շնորհիվ IC փաթեթի էլեկտրամատակարարման և IC չիպի, լավ կնքման, ներքին հոսանքի կոնտակտի հաստ դիֆրագմայի դիմադրությունը կարող է ամբողջությամբ մեկուսացնել արտաքին ծծմբային գազը:

Վերոնշյալ բովանդակությունը հիմնականում վերլուծում է չիպի ինդուկտորային կծիկի գործառույթը և դիմադրության վուլկանացման մեխանիզմը: GETWELL, կարծում եմ, դուք ավելի խորը պատկերացում կունենաք չիպային ինդուկտորի մասին: Եթե ​​ցանկանում եք ավելին իմանալ չիպային ինդուկտորի մասին, խնդրում ենք ազատ զգալ կապվել մեզ հետ: